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先進封裝：TSMC在FOPLP和CoPoS方面的戰(zhàn)略推動

  • 先進封裝被廣泛認為是擴展和超越摩爾定律的關鍵技術(shù)途徑。面對芯片擴展的物理限制和工藝節(jié)點小型化步伐的放緩，先進封裝通過系統(tǒng)級封裝 （SiP）、異構(gòu)集成和高密度互連實現(xiàn)計算性能和能效的持續(xù)改進。臺積電的技術(shù)論壇即將舉行，據(jù)外媒報道，預計臺積電將在活動中討論 CoPoS 的技術(shù)概念。這將與 2025 Touch Taiwan 技術(shù)論壇同時進行，產(chǎn)生協(xié)同效應。SemiVision Research 將對 CoPoS 技術(shù)進行深入討論，并分析臺灣和全球供應鏈格局。由于這種封裝技術(shù)與基于面板的工藝密切相關，臺灣面板制
  • 關鍵字： 先進封裝  TSMC  FOPLP  CoPoS  

TSMC展示用于AI的kW集成穩(wěn)壓器

  • TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器 （IVR），其垂直功率密度是分立設計的五倍。最新的 AI 數(shù)據(jù)中心芯片需要 1000A 的電流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關鍵方法是使用垂直功率傳輸，并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開發(fā)的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術(shù)的電源管理 IC （PMIC），該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔 （TSV）。該 PMIC 將具有陶瓷層來構(gòu)建電感器，PMIC 將位于襯底上，與使用 TSMC
  • 關鍵字： TSMC  AI  kW  集成穩(wěn)壓器  

“最后也是最好的FINFET節(jié)點”

  • 在該公司的北美技術(shù)研討會上，臺積電業(yè)務發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源?！拔覀兊哪繕耸亲尲尚酒阅艹蔀橐粋€平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
  • 關鍵字： FINFET  TSMC  

Avicena與TSMC優(yōu)化I/O互連的光電探測器陣列

  • Avicena 將與臺積電合作，為 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互連優(yōu)化光電探測器 （PD） 陣列。LightBundle 互連支持超過 1 Tbps/mm 的海岸線密度，并以一流的 sub-pJ/bit 能效將超高密度晶粒到晶粒 （D2D） 連接擴展到 10 米以上。這將使 AI 縱向擴展網(wǎng)絡能夠支持跨多個機架的大型 GPU 集群，消除當前銅互連的覆蓋范圍限制，同時大幅降低功耗。日益復雜的 AI 模型推動了對計算和內(nèi)存性能的需求空前激增，需要具有更高密度、更
  • 關鍵字： Avicena  TSMC  I/O互連  光電探測器陣列  

TSMC 選擇更小的襯底進行初始 PLP 運行

  • 一位消息人士告訴《日經(jīng)新聞》（Nikkei），決定生產(chǎn)“應該從稍小的方形開始，而不是在早期試驗中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學品均勻地涂覆整個基材尤其具有挑戰(zhàn)性。首次生產(chǎn)將于 2017 年在桃園市試行。據(jù)報道，日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產(chǎn)線，但在聽說臺積電的決定后，決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點生產(chǎn)線。PLP 技術(shù)由 Fraunhofer 于 2016 年推出，當時它與 17 個合作伙伴成立了面板級封裝聯(lián)盟 （PLC）。
  • 關鍵字： TSMC  襯底  PLP  

小米新款SoC或采用臺積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8

  • 去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
  • 關鍵字： 小米  SoC  3nm  自研芯片  臺積電  TSMC  

臺積電將于4月1日起開始接受2nm訂單，首批芯片預計2026年到來

  • 臺積電（TSMC）在去年12月已經(jīng)對2nm工藝進行了試產(chǎn)，良品率超過了60%，大大超過了預期。目前臺積電有兩家位于中國臺灣的晶圓廠專注在2nm工藝，分別是北部的寶山工廠，還有南部的高雄工廠，已經(jīng)進入小規(guī)模評估階段，初期產(chǎn)能同樣是月產(chǎn)量5000片晶圓。據(jù)Wccftech報道，最新消息稱，臺積電將從2025年4月1日起開始接受2nm訂單，蘋果大概率會是首個客戶。傳聞蘋果計劃采用2nm工藝制造A20，用于2026年下半年發(fā)布的iPhone 18系列智能手機上。除了蘋果以為，AMD、英特爾、博通和AWS等都準備排
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  首批芯片  TSMC  蘋果  A20  iPhone 18  

轉(zhuǎn)向納米晶體管是SRAM的福音

  • 上周在 IEEE 國際固態(tài)電路會議 （ISSCC） 上，先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術(shù) Intel 18a 和 TSMC N2 構(gòu)建的關鍵內(nèi)存電路 SRAM 的功能.多年來，芯片制造商不斷縮小電路規(guī)模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因為 SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
  • 關鍵字： 納米晶體管  SRAM  英特爾  Synopsys  TSMC  內(nèi)存密度  

蘋果A系列芯片將集成自研5G基帶：替代高通

  • 2月25日消息，蘋果記者Mark Gurman透露，蘋果計劃在未來將5G調(diào)制解調(diào)器集成到設備的主芯片組中，這意味著未來不會再有A18芯片組與獨立的C1調(diào)制解調(diào)器，而是兩者合二為一，不過這一成果需要幾年時間才能實現(xiàn)。據(jù)悉，蘋果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發(fā)搭載，該機同時還搭載了A18芯片，支持Apple智能。報道顯示，蘋果自研的5G基帶芯片C1由臺積電（TSMC）代工，其基帶調(diào)制解調(diào)器采用4nm工藝，而接收器則采用了7nm工藝，這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計劃，蘋果明年將會擴大自研基
  • 關鍵字： 蘋果  A系列芯片  自研  5G基帶  高通  臺積電  TSMC  

TSMC 揭開納米片晶體管的帷幕 英特爾展示了這些設備可以走多遠

  • 臺積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國際電子設備會議 （IEDM） 上介紹了其下一代晶體管技術(shù)。N2 或 2 納米技術(shù)是這家半導體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構(gòu)，稱為納米片(Nanosheet)或全環(huán)繞柵極。三星有制造類似設備的工藝，英特爾和臺積電都預計在 2025 年生產(chǎn)它們。與臺積電目前最先進的工藝 N3（3 納米）相比，這項新技術(shù)可將能效提高 15% 或提高 30%，同時將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動成果”，臺積電研發(fā)和先進技術(shù)副總裁Geoffrey Ye
  • 關鍵字： TSMC  納米片晶體管  英特爾  Nanosheet  

2024年，TSMC的股價預計將繼續(xù)上漲

  • 臺灣半導體制造公司（TSMC）是全球最大的半導體代工企業(yè)，以其先進的制造技術(shù)而聞名。2024年，TSMC的股價預計將繼續(xù)上漲，這主要得益于其在人工智能和高性能計算領域的領先地位。隨著人工智能技術(shù)的迅速發(fā)展，對高端AI GPU的需求不斷增加，這些GPU幾乎全部由TSMC的先進芯片技術(shù)提供支持。這使得TSMC在半導體代工服務市場的占有率超過50%，并為其長期增長前景提供了強有力的支撐。此外，TSMC在2024年的收入預計將增長超過20%，這進一步增強了投資者對其股票的信心。這一增長主要得益于其在7納米和5納米
  • 關鍵字： 半導體  TSMC  市場  

Cadence發(fā)布面向TSMC 3nm工藝的112G-ELR SerDes IP展示

  • 3nm 時代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會期間發(fā)布了面向臺積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。在后摩爾時代的趨勢下，F(xiàn)inFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進一步縮小，進一步采用系統(tǒng)級封裝設計（SiP）。通過結(jié)合工藝技術(shù)的優(yōu)勢與 Cadence 業(yè)界領先的數(shù)字信號處理（DSP）SerDes 架構(gòu)，全新的 112G-ELR
  • 關鍵字： Cadence  TSMC  3nm工藝  SerDes IP  

晶圓代工迎來一場“硬戰(zhàn)”？

  • 近日，在韓國科學技術(shù)院（KAIST）的演講中，三星電子芯片業(yè)務負責人Kyung Kye-hyun表示，三星將在五年內(nèi)超越競爭對手臺積電，在芯片代工領域處于領先地位。除了三星，重回代工領域的英特爾也放言，在2030年之前成為該市場的第二大玩家。代工市場硝煙起，市場地貌又將如何重塑？01三星放言：5年內(nèi)超越臺積電Kyung Kye-hyun表示，當下臺積電在芯片制造方面遠遠領先于三星。他認為三星需要五年時間才能趕上并超過臺積電，盡管兩家公司目前都在生產(chǎn)3nm半導體，這些技術(shù)的營銷名稱可能相似，但它們在
  • 關鍵字： TSMC  晶圓代工  三星  
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tsmc介紹

TSMC 　　簡介 　　TSMC成立于1987年，是全球最大的專業(yè)集成電路制造服務公司。身為專業(yè)集成電路制造服務業(yè)的創(chuàng)始者與領導者，TSMC在提供先進晶圓制程技術(shù)與最佳的制造效率上已建立聲譽。自創(chuàng)立開始，TSMC即持續(xù)提供客戶最先進的技術(shù)；2006年的總產(chǎn)能超過七百萬片約當八吋晶圓，全年營收約占專業(yè)集成電路制造服務領域的百分之五十。 　　2002年，TSMC成為第一家進入全球營收前 [ 查看詳細 ]

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